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三次元垂直チャネル型の強誘電体/反強誘電体メモリデバイスを開発 ~IoTエッジデバイスのメモリ大容量化へ期待~
三次元垂直チャネル型の強誘電体/反強誘電体メモリデバイスを開発~IoTエッジデバ...
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掲載日 2022-05-13 主催者 国立研究開発法人科学技術振興機構(JST...