ブックタイトルSENTAN せんたん JAN VOL.29

概要

SENTAN せんたん JAN VOL.29

◆受賞の対象となった研究業績“InGaZnO薄膜トランジスタにおけるホットキャリア効果”“Hot carrier effects in InGaZnO thin-film transistor”物質創成科学領域情報機能素子科学研究室髙橋崇典さんが第42回（2020年度）応用物理学会論文奨励賞を受賞髙橋崇典さん（博士後期課程1年）が第42回応用物理学会論文奨励賞を受賞し、2020年9月8日～11日に開催された第81回応用物理学会秋季学術講演会において、受賞式と受賞記念講演が行われました。同賞は表彰年度の前々年と前年（2018年と2019年）に機関誌「応用物理」または「Japanese Journal of Applied Physics」、「Applied Physics Express」に発表された論文を対象とし、主たる著者が若手研究者（表彰年度4月1日での年齢が35歳未満）である優秀な原著論文の第一著者に対して授与されるものです。本年度は推薦された12件の論文が査読・評価の対象となり、5名の受賞者が選考されました。◆受賞研究の概要本論文は、酸化物半導体In-Ga-Zn-Oを用いた薄膜トランジスタ（TFT）における信頼性劣化現象について調査した結果になります。著者らは光学的手法であるエミッション顕微鏡による発光解析と電気的手法である伝達特性と容量-電圧特性の測定結果を解析することで、酸化物TFTにおけるホットキャリアの存在を明確化することに初めて成功しました。本研究によって得られた知見は、酸化物TFTの信頼性劣化現象の理解に繋がるだけではなく、本TFTの高性能化・高信頼性化、酸化物材料やデバイスの設計に指針を与えるものであり、今後、本論文の成果が学術的および産業的にも大きな貢献をもたらすものと期待されます。本論文は「Applied Physics Express」誌に掲載されています。◆受賞についてのコメントこの度は、応用物理学分野における大変栄誉ある賞をいただいたことを、大変光栄に感じております。また、私たちの研究成果を高く評価していただいたことは大変名誉なことであると実感しております。これもひとえに、共著者の皆さまのご指導の賜物であり、この場を借りて深く御礼申し上げます。本賞を励みに研究活動に邁進していく所存です。その他の受賞一覧領域名受賞年月受賞者名受賞名領域名受賞年月受賞者名受賞名2020.9山田理（M1）学生優秀発表賞岡本真由子（修了生）Best Paper Award村山太一（D2）2020年度コンピュータサイエンス領域奨励賞情報2020.10中村哲（教授）ISCA Fellowの称号が授与情報吉野幸一郎（客員准教授）脇本宏平（修了生）西村優汰（修了生）中村哲（教授）Best Paper Award叢熙（M2）MVE賞笠原正治（教授）活動功労賞上本恭平バイオ2020.9（D2・特別研究学生）日本時間生物学会学術大会優秀ポスター賞安見嘉人（D1）優秀研究賞2020.9黒崎澪（D1）優秀学生発表賞（ポスター）物質和田慎平（D2）最優秀ポスター賞杉江謙治（D1）d.lab-VDECデザインアワード奨励賞S E NTAN18