物質創成科学研究科の田口宗孝特任助教、大門寛教授、理化学研究所 放射光科学総合研究センターの大浦正樹ユニットリーダーらの国際共同研究グループは、放射光施設Diamond（イギリス）と大型放射光施設SPring-8の世界最高性能のX線光電子分光実験と理論解析を組み合わせることで、スピントロニクス材料でデバイスを作る際に妨げとなる表面不活性層の深さ分布を、定量的に評価することに成功しました。不活性層の層構造を非破壊で定量的に測定できるようになったことで、スピントロニクスデバイスの開発研究が大幅に促進されることが期待できます。

　本研究成果は、英国の科学電子ジャーナル『Nature Communications』（7月17日付け）に掲載されました。

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