物質創成科学領域
次世代半導体デバイス向け高性能/高機能な多結晶酸化物半導体 材料poly-IGO ナノシートを開発
～次世代半導体の高性能化・高集積化・低消費電力化に期待～
奈良先端科学技術大学院大学（学長：塩﨑 一裕） 先端科学技術研究科 物質創成科学領域の髙橋崇典 助教、浦岡 行治 教授、東京科学大学 工学院 電気電子系 角嶋 邦之 准教授、星井 拓也 助教、出光興産株式会社 らによる共同研究グループは原子層堆積（ALD）法を用いることで高性能かつ高機能な多結晶酸化物半導体 Ga 添加 In2O3（poly-IGO :polycrystalline Ga-doped In2O3）ナノシートとそれをチャネル層に用いた電界効果トランジスタ（FET）の開発に成功しました。
詳細はこちら：https://www.naist.jp/pressrelease/20250603.pdf
